Ученые Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) в сотрудничестве с НПФ «Микран» работают над созданием технологии производства транзисторов нового поколения для энергоэффективной преобразовательной техники. В центре «Нанотехнологии» ТУСУР специалисты разрабатывают экспериментальные образцы нитрид-галлиевых транзисторов, значительно превосходящие по своим техническим характеристикам кремниевые аналоги.
«Использование нитрид-галлиевых силовых гетероструктурных транзисторов позволит повысить эффективность использования (преобразования) электроэнергии до 20% в различных электронных устройствах, при этом значительно уменьшив массу и габариты вторичных источников питания. Например, если заменить кремниевые транзисторы на нитрид-галлиевые в ноутбуке, то отпадет необходимость в отдельном блоке питания, его можно будет разместить сразу в ноутбуке», – отмечает директор НОЦ «Нанотехнологии» Дмитрий Зыков.
По мнению разработчиков, новая технология найдет свое применение в специализированных областях в составе техники, используемой в особых условиях (робототехнические комплексы арктического применения, космические аппараты), а также в сфере промышленной электроники и энергосберегающей техники, а также на предприятиях радиоэлектронной промышленности.
Широкая область возможного применения новой технологии позволит повысить эффективность преобразования электроэнергии и обеспечить импортозамещение кремниевых устройств современными силовыми приборами.
«Внедрение нашей технологии позволит сформировать отечественный рынок на основе опережающих решений. Сегодня в России около 90% полупроводниковых преобразователей на основе кремния – это импорт, годовой объем которого оценивается 8 – 10 млрд рублей с тенденцией к росту. Однако уже сегодня ряд российских предприятий готовы производить бортовые системы электропитания и управления для авиации и космической техники, телекоммуникационное оборудование на основе нашей технологии, обеспечивая конкурентоспособность своей продукции на мировом уровне. То, что российские предприятия сейчас будут использовать самые передовые технологии при создании новых производств позволит им обеспечить лидерство и на мировом рынке», – отмечает Дмитрий Зыков.
Несмотря на то, что исследования в области нитрид-галлиевой технологии ведут ученые различных стран мира, отечественная разработка ученых ТУСУР не уступает зарубежным аналогам, кроме того для России этот проект уникален, поскольку он направлен на создание серийной технологии.
Ученые Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) в сотрудничестве с НПФ «Микран» работают над созданием технологии производства транзисторов нового поколения для энергоэффективной преобразовательной техники. В центре «Нанотехнологии» ТУСУР специалисты разрабатывают экспериментальные образцы нитрид-галлиевых транзисторов, значительно превосходящие по своим техническим характеристикам кремниевые аналоги.
«Использование нитрид-галлиевых силовых гетероструктурных транзисторов позволит повысить эффективность использования (преобразования) электроэнергии до 20% в различных электронных устройствах, при этом значительно уменьшив массу и габариты вторичных источников питания. Например, если заменить кремниевые транзисторы на нитрид-галлиевые в ноутбуке, то отпадет необходимость в отдельном блоке питания, его можно будет разместить сразу в ноутбуке», – отмечает директор НОЦ «Нанотехнологии» Дмитрий Зыков.
По мнению разработчиков, новая технология найдет свое применение в специализированных областях в составе техники, используемой в особых условиях (робототехнические комплексы арктического применения, космические аппараты), а также в сфере промышленной электроники и энергосберегающей техники, а также на предприятиях радиоэлектронной промышленности.
Широкая область возможного применения новой технологии позволит повысить эффективность преобразования электроэнергии и обеспечить импортозамещение кремниевых устройств современными силовыми приборами.
«Внедрение нашей технологии позволит сформировать отечественный рынок на основе опережающих решений. Сегодня в России около 90% полупроводниковых преобразователей на основе кремния – это импорт, годовой объем которого оценивается 8 – 10 млрд рублей с тенденцией к росту. Однако уже сегодня ряд российских предприятий готовы производить бортовые системы электропитания и управления для авиации и космической техники, телекоммуникационное оборудование на основе нашей технологии, обеспечивая конкурентоспособность своей продукции на мировом уровне. То, что российские предприятия сейчас будут использовать самые передовые технологии при создании новых производств позволит им обеспечить лидерство и на мировом рынке», – отмечает Дмитрий Зыков.
Несмотря на то, что исследования в области нитрид-галлиевой технологии ведут ученые различных стран мира, отечественная разработка ученых ТУСУР не уступает зарубежным аналогам, кроме того для России этот проект уникален, поскольку он направлен на создание серийной технологии.